IXYS Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tube of 10 units)*

₩701,728.80

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 380 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
Per Tube*
10 - 40₩70,172.88₩701,728.80
50 +₩68,768.52₩687,685.20

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
168-4494
제조사 부품 번호:
IXFN60N80P
제조업체:
IXYS
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

53A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

250nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Width

25.42 mm

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

관련된 링크들