STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH2N120K5-2AG

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

Subtotal (1 reel of 1000 units)*

₩4,673,680.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 4월 27일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
1000 +₩4,673.68₩4,674,056.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
151-437
제조사 부품 번호:
STH2N120K5-2AG
제조업체:
STMicroelectronics
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

H2PAK-2

Series

MDmesh K5

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.3nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.8mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

4.7mm

Width

10.4 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

AEC Q101 qualified

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

관련된 링크들