제조사부품번호

Infineon BSC0923NDIATMA1 Dual IGBT, 8-Pin PG-TISON-8, Through Hole

RS 제품 번호:: 273-5236
제조사 부품 번호:: BSC0923NDIATMA1
제조업체:: Infineon

Infineon BSC0923NDIATMA1 Dual IGBT, 8-Pin PG-TISON-8, Through Hole

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수량	한팩당	한팩당*
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50 - 495	₩7,568.88	₩37,844.40
500 - 995	₩7,418.48	₩37,092.40
1000 - 2495	₩7,271.84	₩36,359.20
2500 +	₩7,125.20	₩35,626.00

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RS 제품 번호:: 273-5236
제조사 부품 번호:: BSC0923NDIATMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	2.5 W
	Configuration	Dual
	Package Type	PG-TISON-8
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	8

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 2.5 W
	Configuration Dual
	Package Type PG-TISON-8
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 8

Datasheet - BSC0923NDIATMA1

The Infineon MOSFET is a dual N channel MOSFET. It is optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

Logic level
RoHS compliant
Pb free lead plating
100 percent avalanche tested

Infineon BSC0923NDIATMA1 Dual IGBT, 8-Pin PG-TISON-8, Through Hole

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