제조사부품번호

Infineon BSC018NE2LSATMA1 IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

RS 제품 번호:: 273-5233
제조사 부품 번호:: BSC018NE2LSATMA1
제조업체:: Infineon

Infineon BSC018NE2LSATMA1 IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

Subtotal (1 reel of 5000 units)*

₩109,679,200.00

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수량	한팩당	릴당*
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RS 제품 번호:: 273-5233
제조사 부품 번호:: BSC018NE2LSATMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	153 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	25 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	2.5 W
	Package Type	PG-TDSON-8
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	8

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 153 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 25 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 2.5 W
	Package Type PG-TDSON-8
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 8

Datasheet - BSC018NE2LSATMA1

The Infineon MOSFET is a 25 V N channel MOSFET. It is optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
100 percent avalanche tested

Infineon BSC018NE2LSATMA1 IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

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