Infineon BSC018NE2LSATMA1, Type N-Channel IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole
- RS 제품 번호:
- 273-5233
- 제조사 부품 번호:
- BSC018NE2LSATMA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
Subtotal (1 reel of 5000 units)*
₩109,679,200.00
일시적 품절
- 2026년 9월 18일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 5000 + | ₩21,935.84 | ₩109,679,200.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 273-5233
- 제조사 부품 번호:
- BSC018NE2LSATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 153A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 25V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Package Type | PG-TDSON-8 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 8 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21 | |
| Width | 6.1 mm | |
| Length | 5.1mm | |
| Height | 1.51mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 153A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 25V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Package Type PG-TDSON-8 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 8 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21 | ||
Width 6.1 mm | ||
Length 5.1mm | ||
Height 1.51mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a 25 V N channel MOSFET. It is optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.
RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
100 percent avalanche tested
관련된 링크들
- Infineon BSC018NE2LSATMA1 IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 58 A, 25 V N, 8-Pin TDSON BSC050NE2LSATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010NE2LSATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 110 A, 25 V N, 8-Pin TDSON BSC024NE2LSATMA1
- Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 58 A, 25 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 381 A, 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC032NE2LSATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC014N04LSATMA1
