Infineon, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 200 A 1700 V, 7-Pin 62MMH, Panel
- RS 제품 번호:
- 273-2918
- 제조사 부품 번호:
- FF200R17KE4HOSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 273-2918
- 제조사 부품 번호:
- FF200R17KE4HOSA1
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 200A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1700V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1250W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Package Type | 62MMH | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.45V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61140 | |
| Length | 106.4mm | |
| Height | 30.5mm | |
| Width | 61.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 200A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1700V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1250W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Configuration Common Emitter | ||
Package Type 62MMH | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.45V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC 61140 | ||
Length 106.4mm | ||
Height 30.5mm | ||
Width 61.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon dual IGBT module with fast IGBT4 and emitter controlled 4 diode.
Optimal electrical performance
Highest reliability
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