제조사부품번호

Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 259-1535
제조사 부품 번호:: IKW50N65H5FKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3

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26 - 98	₩5,668.20	₩11,336.40
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RS 제품 번호:: 259-1535
제조사 부품 번호:: IKW50N65H5FKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	305 W
	Package Type	PG-TO247-3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 305 W
	Package Type PG-TO247-3

Datasheet - IKW50N65H5FKSA1

The Infineon high speed IGBT5 is co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT. It has Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability. 50 V increase in the bus voltage possible without compromising reliability.

650 V breakthrough voltage
Compared to best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Qg
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in VCEsat
Co-packed with Rapid Si-diode technology
Low COES/EOSS
Mild positive temperature coefficient VCEsa

Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3

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