제조사부품번호

Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

RS 제품 번호:: 259-1525
제조사 부품 번호:: IGP50N60TXKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

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RS 제품 번호:: 259-1525
제조사 부품 번호:: IGP50N60TXKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	90 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	333 W
	Number of Transistors	3
	Package Type	PG-TO220-3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 90 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 333 W
	Number of Transistors 3
	Package Type PG-TO220-3

Datasheet - IGP50N60TXKSA1

The Infineon low loss IGBT has easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vcesat. It is high ruggedness, temperature stable behaviour. It is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.

Maximum junction temperature 175°C
Short circuit withstand time 5 micro second
Low EMI
Low gate charge
Very tight parameter distribution

Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3

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