Infineon IGP15N60TXKSA1 Low Loss IGBT, 15 A 600 V TO-220
- RS 제품 번호:
- 242-0976
- 제조사 부품 번호:
- IGP15N60TXKSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 2 units)*
₩3,158.40
재고있음
- 378 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | ₩1,579.20 | ₩3,158.40 |
| 10 - 98 | ₩1,541.60 | ₩3,083.20 |
| 100 - 248 | ₩1,504.00 | ₩3,008.00 |
| 250 - 498 | ₩1,466.40 | ₩2,932.80 |
| 500 + | ₩1,438.20 | ₩2,876.40 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 242-0976
- 제조사 부품 번호:
- IGP15N60TXKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 15A | |
| Product Type | Low Loss IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 130W | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC1 | |
| Series | TRENCHSTOPTM | |
| Height | 4.57mm | |
| Length | 29.95mm | |
| Width | 10.36 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 15A | ||
Product Type Low Loss IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 130W | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC1 | ||
Series TRENCHSTOPTM | ||
Height 4.57mm | ||
Length 29.95mm | ||
Width 10.36 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600 V, 15 A IGBTs transistor has maximum continous collector current is 26 A.The maximum junction temperature is 175°C. It has highest efficiency,low conduction and switching losses,comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for flexibility of design and high device reliability.
Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
관련된 링크들
- Infineon Low Loss IGBT, 15 A 600 V TO-220
- Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Module, 50 A 600 V TO-220
- Infineon IGP10N60TXKSA1 IGBT, 24 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IGP06N60TXKSA1, Type N-Channel IGBT, 12 A 600 V, 3-Pin TO-220, Surface
- Infineon IKA15N60TXKSA1 IGBT, 15 A 600 V TO-220
- Infineon IGBT Module, 50 A 600 V TO-220
- Infineon IGBT, 24 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
- Infineon IGBT, 15 A 600 V TO-220
