제조사부품번호

Bourns BIDD05N60T IGBT 600 V TO-252

RS 제품 번호:: 253-3500
제조사 부품 번호:: BIDD05N60T
제조업체:: Bourns

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100 - 245	₩2,844.00	₩14,220.00
250 - 995	₩2,644.00	₩13,220.00
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RS 제품 번호:: 253-3500
제조사 부품 번호:: BIDD05N60T
제조업체:: Bourns

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Bourns
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	82W
	Package Type	TO-252
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±30 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Series	BIDD05N60T
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Bourns
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 82W
	Package Type TO-252
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Series BIDD05N60T
	Automotive Standard No

Datasheet - BIDD05N60T

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure improves the robustness of the device.

600V, 5A, Low VCE(sat)

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

Robust

RoHS compliant

Bourns BIDD05N60T IGBT 600 V TO-252

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