Bourns IGBT 600 V TO-252
- RS 제품 번호:
- 253-3499
- 제조사 부품 번호:
- BIDD05N60T
- 제조업체:
- Bourns
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
Subtotal (1 reel of 2500 units)*
₩3,050,300.00
현재 액세스할 수 없는 재고 정보 - 나중에 다시 확인해 주세요.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 2500 + | ₩1,220.12 | ₩3,048,420.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 253-3499
- 제조사 부품 번호:
- BIDD05N60T
- 제조업체:
- Bourns
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Bourns | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 82W | |
| Package Type | TO-252 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | BIDD05N60T | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Bourns | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 82W | ||
Package Type TO-252 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series BIDD05N60T | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure improves the robustness of the device.
600V, 5A, Low VCE(sat)
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
Robust
RoHS compliant