Infineon IKD10N60RFATMA1 IGBT, 10 A 600 V TO-252
- RS 제품 번호:
- 258-1004
- 제조사 부품 번호:
- IKD10N60RFATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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| 100 - 248 | ₩2,227.80 | ₩4,455.60 |
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- RS 제품 번호:
- 258-1004
- 제조사 부품 번호:
- IKD10N60RFATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 10A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Package Type | TO-252 | |
| Switching Speed | 30kHz | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.2V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 10A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Package Type TO-252 | ||
Switching Speed 30kHz | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.2V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-free lead plating | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon RC-Drives 600 V, 10 A hard-switching IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO252 package, has been developed by Infineon as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor drives.
Very tight parameter distribution
Best in class current versus package size performance
Outstanding temperature stability
Very good EMI behaviour
관련된 링크들
- Infineon IKD15N60RFATMA1, Type N-Channel IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface
- Infineon IKD06N60RFATMA1, Type N-Channel IGBT, 6.5 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface
- Infineon IGBT, 10 A 600 V TO-252
- Infineon IKD03N60RFATMA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 6.5 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface
- Infineon IKD10N60RC2ATMA1 IGBT, 10 A 600 V TO-252
- Infineon, Type N-Channel IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface
- Infineon, Type N-Channel IGBT, 6.5 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface
- Infineon IKD04N60RC2ATMA1 IGBT, 8 A 600 V TO-252
