제조사부품번호

Infineon IKW40N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 40 A 650 V PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 249-6939
제조사 부품 번호:: IKW40N65RH5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IKW40N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 40 A 650 V PG-TO247-3

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RS 제품 번호:: 249-6939
제조사 부품 번호:: IKW40N65RH5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	40 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	15V
	Maximum Power Dissipation	250 W
	Number of Transistors	2
	Package Type	PG-TO247-3
	Configuration	Single

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 40 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage 15V
	Maximum Power Dissipation 250 W
	Number of Transistors 2
	Package Type PG-TO247-3
	Configuration Single

Datasheet - IKW40N65RH5XKSA1

The Infineon schottky barrier diode has ultra low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM5 and CoolSiCTM technology. Benchmark efficiency in hard switching topologies. Plug-and-play replacement of pure silicon devices. Maximum junction temperature is 175°C.

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Energy Storage
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Infineon IKW40N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 40 A 650 V PG-TO247-3

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