제조사부품번호

Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module, 40 A, 70 A 650 V

RS 제품 번호:: 248-1195
제조사 부품 번호:: DF200R07W2H3B77BPSA1
제조업체:: Infineon

Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module, 40 A, 70 A 650 V

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수량	한팩당	Per Tray*
15 - 15	₩70,178.52	₩1,052,668.40
30 - 30	₩68,774.16	₩1,031,612.40
45 +	₩67,398.00	₩1,010,970.00

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RS 제품 번호:: 248-1195
제조사 부품 번호:: DF200R07W2H3B77BPSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	40 A, 70 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	20 mW
	Number of Transistors	4

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 40 A, 70 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 20 mW
	Number of Transistors 4

Datasheet - DF200R07W2H3B77BPSA1

The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp. This device has Booster configuration and uses IGBT HighSpeed 3 technology.

Best cost-performance ratio with reduced system costs
High degree of freedom in design
Highest efficiency and power density

Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module, 40 A, 70 A 650 V

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

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