제조사부품번호

Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole

RS 제품 번호:: 248-1196
제조사 부품 번호:: DF200R07W2H3B77BPSA1
제조업체:: Infineon

Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole

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RS 제품 번호:: 248-1196
제조사 부품 번호:: DF200R07W2H3B77BPSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Number of Transistors	4
	Mount Type	Through Hole
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	DF200R07W2H3B77
	Width	48 mm
	Length	56.7mm
	Height	12mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Number of Transistors 4
	Mount Type Through Hole
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series DF200R07W2H3B77
	Width 48 mm
	Length 56.7mm
	Height 12mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - DF200R07W2H3B77BPSA1

The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp. This device has Booster configuration and uses IGBT HighSpeed 3 technology.

Best cost-performance ratio with reduced system costs

High degree of freedom in design

Highest efficiency and power density

Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole

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