제조사부품번호

onsemi IGBT Module 1000 V Q2BOOST - Case 180BR, Surface

RS 제품 번호:: 245-6987
제조사 부품 번호:: NXH450B100H4Q2F2SG
제조업체:: onsemi

onsemi IGBT Module 1000 V Q2BOOST - Case 180BR, Surface

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RS 제품 번호:: 245-6987
제조사 부품 번호:: NXH450B100H4Q2F2SG
제조업체:: onsemi

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1000V
	Number of Transistors	2
	Maximum Power Dissipation Pd	79W
	Package Type	Q2BOOST - Case 180BR
	Mount Type	Surface
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	12.3mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	93.1mm
	Series	NXH450B100H4Q2F2SG
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1000V
	Number of Transistors 2
	Maximum Power Dissipation Pd 79W
	Package Type Q2BOOST - Case 180BR
	Mount Type Surface
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 12.3mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 93.1mm
	Series NXH450B100H4Q2F2SG
	Automotive Standard No

Datasheet - NXH450B100H4Q2F2SG

The ON Semiconductor Q2BOOST Module is a Si or SiC Hybrid three channel symmetric boost module. Each channel contains two 1000 V, 150 A IGBTs, two 1200 V, 30 A SiC diodes and two 1600 V, 30 A bypass diodes. The module contains an NTC thermistor.

Silicon or SiC Hybrid technology maximizes power density

Low switching loss reduces system power dissipation

Low inductive layout

Press fit and solder pin options

This Device is Pb free, Halogen Free and is RoHS Compliant

onsemi IGBT Module 1000 V Q2BOOST - Case 180BR, Surface

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