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onsemi NXH450B100H4Q2F2PG IGBT Module, 101 A 1000 V Q2BOOST - Case 180BG (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins)

RS 제품 번호:: 245-6986
제조사 부품 번호:: NXH450B100H4Q2F2PG
제조업체:: onsemi

onsemi NXH450B100H4Q2F2PG IGBT Module, 101 A 1000 V Q2BOOST - Case 180BG (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins)

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RS 제품 번호:: 245-6986
제조사 부품 번호:: NXH450B100H4Q2F2PG
제조업체:: onsemi

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Maximum Continuous Collector Current	101 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1000 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	79 W
	Number of Transistors	2
	Package Type	Q2BOOST - Case 180BG (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins)

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Maximum Continuous Collector Current 101 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1000 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 79 W
	Number of Transistors 2
	Package Type Q2BOOST - Case 180BG (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins)

Datasheet - NXH450B100H4Q2F2PG

The ON Semiconductor Q2BOOST Module is a Si or SiC Hybrid three channel symmetric boost module. Each channel contains two 1000 V, 150 A IGBTs, two 1200 V, 30 A SiC diodes and two 1600 V, 30 A bypass diodes. The module contains an NTC thermistor.

Silicon or SiC Hybrid technology maximizes power density
Low switching loss reduces system power dissipation
Low inductive layout
Press fit and solder pin options
This Device is Pb free, Halogen Free and is RoHS Compliant

onsemi NXH450B100H4Q2F2PG IGBT Module, 101 A 1000 V Q2BOOST - Case 180BG (Pb-Free and Halide-Free Press Fit Pins)

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