Infineon FP75R12N2T7BPSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 1.2 kV, 31-Pin Module, Through Hole
- RS 제품 번호:
- 232-6719
- 제조사 부품 번호:
- FP75R12N2T7BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (1 unit)*
₩201,600.00
일시적 품절
- 2026년 7월 20일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 |
|---|---|
| 1 - 9 | ₩201,600.00 |
| 10 - 19 | ₩197,580.00 |
| 20 - 29 | ₩193,620.00 |
| 30 + | ₩187,780.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 232-6719
- 제조사 부품 번호:
- FP75R12N2T7BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1.2kV | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 31 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.55V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | FP75R12N2T7 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 107.5mm | |
| Height | 21.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1.2kV | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Number of Transistors 7 | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 31 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series FP75R12N2T7 | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 107.5mm | ||
Height 21.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's EconoPIM 2, 75 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Also available with PressFIT technology. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.
RoHS-compliant modules
Copper base plate for optimized heat spread
High power density
관련된 링크들
- Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 1.2 kV, 31-Pin Module, Through Hole
- Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin Module, Chassis
- Infineon FP75R12N3T7BPSA1 IGBT 1200 V
- Infineon FP75R12N2T7BPSA2, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin EconoPIM2, Panel
- Infineon FP75R17N3E4B20BPSA1, N channel-Channel PIM IGBT Module, 75 A 1700 V, 31-Pin Tray, Panel Mount
- Infineon FP75R12N3T7B11BPSA1 IGBT 1200 V
- Infineon FP75R12N2T7PB11BPSA1 IGBT 1200 V
- Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin Module, Chassis