Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 1.2 kV, 31-Pin Module, Through Hole
- RS 제품 번호:
- 232-6718
- 제조사 부품 번호:
- FP75R12N2T7BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 tray of 10 units)*
₩1,839,880.80
일시적 품절
- 2026년 3월 13일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | ₩183,988.08 | ₩1,839,880.80 |
| 50 + | ₩180,307.04 | ₩1,803,070.40 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 232-6718
- 제조사 부품 번호:
- FP75R12N2T7BPSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1.2kV | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 31 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.55V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 21.3mm | |
| Length | 107.5mm | |
| Width | 45 mm | |
| Series | FP75R12N2T7 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1.2kV | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 31 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 21.3mm | ||
Length 107.5mm | ||
Width 45 mm | ||
Series FP75R12N2T7 | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's EconoPIM 2, 75 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Also available with PressFIT technology. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.
RoHS-compliant modules
Copper base plate for optimized heat spread
High power density
관련된 링크들
- Infineon FP75R12N2T7BPSA1 3 Phase IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin Module, Chassis Mount
- Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1 3 Phase IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin Module, Chassis Mount
- Infineon FP75R12N2T7BPSA2 Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 31-Pin, Panel Mount
- Infineon FP75R12N3T7BPSA1 IGBT, 75 A 1200 V
- Infineon FP100R12N2T7BPSA1 3 Phase IGBT, 100 A 1200 V, 31-Pin Module, Chassis Mount
- Infineon FP75R12N2T7PB11BPSA1 IGBT, 75 A 1200 V
- Infineon FP75R12N3T7B11BPSA1 IGBT, 75 A 1200 V
- Infineon FP100R12N2T7BPSA2 Common Emitter IGBT, 100 A 1200 V, 31-Pin, Panel Mount
