제조사부품번호

Infineon IKW50N65EH5XKSA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247

RS 제품 번호:: 226-6116
제조사 부품 번호:: IKW50N65EH5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IKW50N65EH5XKSA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247

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RS 제품 번호:: 226-6116
제조사 부품 번호:: IKW50N65EH5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	30V
	Maximum Power Dissipation	275 W
	Number of Transistors	1
	Configuration	Single
	Package Type	PG-TO247
	Channel Type	N
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage 30V
	Maximum Power Dissipation 275 W
	Number of Transistors 1
	Configuration Single
	Package Type PG-TO247
	Channel Type N
	Pin Count 3

Datasheet - IKW50N65EH5XKSA1

The Infineon IKW50N65EH5 is 650 V high speed hard switching IGBT which used co-packed with rapid si-diode technology. It has higher power density design and has low COES/EOSS.

Factor 2.5 lower Qg
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in VCEsat

Infineon IKW50N65EH5XKSA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247

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