제조사부품번호

Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263

RS 제품 번호:: 226-6063
제조사 부품 번호:: IGB50N65S5ATMA1
제조업체:: Infineon

Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263

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RS 제품 번호:: 226-6063
제조사 부품 번호:: IGB50N65S5ATMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	30V
	Number of Transistors	1
	Maximum Power Dissipation	270 W
	Package Type	PG-TO263
	Configuration	Single
	Channel Type	N
	Pin Count	3
	Transistor Configuration	Single

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage 30V
	Number of Transistors 1
	Maximum Power Dissipation 270 W
	Package Type PG-TO263
	Configuration Single
	Channel Type N
	Pin Count 3
	Transistor Configuration Single

Datasheet - IGB50N65S5ATMA1

The Infineon IGB50N65S is 50 A IGBT with anti-parallel diode with no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.

Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C
Maximum junction temperature Tvj 175°C
four times nominal current

Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263

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