Infineon, Type N-Channel IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface
- RS 제품 번호:
- 218-4389
- 제조사 부품 번호:
- IGB50N65H5ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 218-4389
- 제조사 부품 번호:
- IGB50N65H5ATMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 270W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.57mm | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Width | 9.45 mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Length | 10.31mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 270W | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.57mm | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Width 9.45 mm | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Length 10.31mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 80 A.
Higher power density design
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Mild positive temperature coefficient
관련된 링크들
- Infineon IGB50N65H5ATMA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-263
- Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263
- Infineon IGB15N65S5ATMA1 IGBT PG-TO263-3
- Infineon IGB20N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole
- Infineon IGB30N60H3ATMA1 IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3, Through Hole
- Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IKB40N65EF5ATMA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IKB40N65ES5ATMA1 IGBT, 79 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3