Infineon IKW15N120BH6XKSA1 IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247-3
- RS 제품 번호:
- 215-6667
- 제조사 부품 번호:
- IKW15N120BH6XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 tube of 30 units)*
₩96,444.00
제한된 재고
- 210 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | ₩3,214.80 | ₩96,444.00 |
| 90 - 120 | ₩3,086.96 | ₩92,591.88 |
| 150 + | ₩3,006.12 | ₩90,183.60 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 215-6667
- 제조사 부품 번호:
- IKW15N120BH6XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 25 V, ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation | 200 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 30 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 25 V, ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation 200 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon sixth generation insulated-gate bipolar transistor of high speed soft switching series.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
관련된 링크들
- Infineon IKW15N120BH6XKSA1 IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IKW20N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW40N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW30N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW40N65WR5XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW75N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW30N65WR5XKSA1 IGBT, 30 A 650 V PG-TO247-3
