Infineon IKQ100N60TXKSA1, N-Channel IGBT, 160 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS 제품 번호:
- 215-6664
- 제조사 부품 번호:
- IKQ100N60TXKSA1
- 제조업체:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 90 - 120 | ₩12,310.00 | ₩369,318.00 |
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- RS 제품 번호:
- 215-6664
- 제조사 부품 번호:
- IKQ100N60TXKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 160A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 714W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 41.2mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Series | TrenchStop | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 15.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 160A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 714W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 41.2mm | ||
Height 5.1mm | ||
Series TrenchStop | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 15.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with positive temperature coefficient in saturation voltage has fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
관련된 링크들
- Infineon IKQ100N60TXKSA1, N-Channel IGBT, 160 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
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