제조사부품번호

Infineon IKD15N60RATMA1, Type N-Channel IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

RS 제품 번호:: 215-6657
제조사 부품 번호:: IKD15N60RATMA1
제조업체:: Infineon

Infineon IKD15N60RATMA1, Type N-Channel IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

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RS 제품 번호:: 215-6657
제조사 부품 번호:: IKD15N60RATMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	30A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	20kHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	JEDEC
	Series	TrenchStop
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 30A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 20kHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals JEDEC
	Series TrenchStop
	Automotive Standard No

Datasheet-IKD15N60RATMA1

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with integrated diode in packages offering space saving advantage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Infineon IKD15N60RATMA1, Type N-Channel IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

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