제조사부품번호

Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3

RS 제품 번호:: 215-6656
제조사 부품 번호:: IKD15N60RATMA1
제조업체:: Infineon

Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3

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수량	한팩당	릴당*
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RS 제품 번호:: 215-6656
제조사 부품 번호:: IKD15N60RATMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	250 W
	Package Type	PG-TO252-3
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 250 W
	Package Type PG-TO252-3
	Pin Count 3

Datasheet-IKD15N60RATMA1

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with integrated diode in packages offering space saving advantage.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

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