제조사부품번호

Infineon IHW40N120R5XKSA1 IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 215-6640
제조사 부품 번호:: IHW40N120R5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IHW40N120R5XKSA1 IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247-3

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90 - 120	₩3,867.16	₩115,997.88
150 +	₩3,767.52	₩113,008.68

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RS 제품 번호:: 215-6640
제조사 부품 번호:: IHW40N120R5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±25 V
	Maximum Power Dissipation	394 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±25 V
	Maximum Power Dissipation 394 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW40N120R5XKSA1

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IHW40N120R5XKSA1 IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247-3

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