제조사부품번호

onsemi, N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

RS 제품 번호:: 185-8642P
제조사 부품 번호:: AFGB40T65SQDN
제조업체:: onsemi

onsemi, N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

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RS 제품 번호:: 185-8642P
제조사 부품 번호:: AFGB40T65SQDN
제조업체:: onsemi

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Maximum Continuous Collector Current Ic	80A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	238W
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Channel Type	N
	Pin Count	3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.6V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	10.67mm
	Standards/Approvals	RoHS, Pb-Free
	Height	4.06mm
	Length	9.65mm
	Energy Rating	22.3mJ
	Automotive Standard	AEC-Q101

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Maximum Continuous Collector Current Ic 80A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 238W
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Channel Type N
	Pin Count 3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 10.67mm
	Standards/Approvals RoHS, Pb-Free
	Height 4.06mm
	Length 9.65mm
	Energy Rating 22.3mJ
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet AFGB40T65SQDN

COO (Country of Origin):: CN

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.

VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A

Low VF soft recovery co-packaged diode

For automotive

Low conduction loss

Low noise and conduction loss

Applications

Automotive On Board Charge

Automotive DC/DC converter for HEV

End Products

EV/PHEV

onsemi, N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

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