제조사부품번호

ROHM RGT30NS65DGC9, P-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole

RS 제품 번호:: 171-5593
제조사 부품 번호:: RGT30NS65DGC9
제조업체:: ROHM

ROHM RGT30NS65DGC9, P-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole

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100 - 245	₩2,977.92	₩14,889.60
250 - 495	₩2,902.72	₩14,513.60
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RS 제품 번호:: 171-5593
제조사 부품 번호:: RGT30NS65DGC9
제조업체:: ROHM

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	ROHM
	Maximum Continuous Collector Current	30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	30V
	Maximum Power Dissipation	133 W
	Number of Transistors	1
	Package Type	TO-262
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	P
	Pin Count	3+Tab
	Transistor Configuration	Single
	Dimensions	10.1 x 4.5 x 9mm
	Maximum Operating Temperature	+175 °C
	Gate Capacitance	780pF
	Minimum Operating Temperature	-40 °C

	모두 선택
	브랜드 ROHM
	Maximum Continuous Collector Current 30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage 30V
	Maximum Power Dissipation 133 W
	Number of Transistors 1
	Package Type TO-262
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type P
	Pin Count 3+Tab
	Transistor Configuration Single
	Dimensions 10.1 x 4.5 x 9mm
	Maximum Operating Temperature +175 °C
	Gate Capacitance 780pF
	Minimum Operating Temperature -40 °C

COO (Country of Origin):: JP

ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.

Low Collector - Emitter Saturation Voltage
Low Switching Loss
Short Circuit Withstand Time 5us
Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
Pb - free Lead Plating

ROHM RGT30NS65DGC9, P-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole

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