제조사부품번호

onsemi FGY4L75T120SWD Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 4-Pin TO-247-4L, Through Hole

RS 제품 번호:: 277-080
제조사 부품 번호:: FGY4L75T120SWD
제조업체:: onsemi

onsemi FGY4L75T120SWD Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 4-Pin TO-247-4L, Through Hole

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RS 제품 번호:: 277-080
제조사 부품 번호:: FGY4L75T120SWD
제조업체:: onsemi

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Maximum Continuous Collector Current	75 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Number of Transistors	1
	Maximum Power Dissipation	652 W
	Configuration	Common Emitter
	Package Type	TO-247-4L
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	4

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Maximum Continuous Collector Current 75 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Number of Transistors 1
	Maximum Power Dissipation 652 W
	Configuration Common Emitter
	Package Type TO-247-4L
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 4

Datasheet - FGY4L75T120SWD

COO (Country of Origin):: CN

The ON Semiconductor IGBT and Gen7 Diode in a TO247 4-lead package offer optimal performance with low switching and conduction losses, enabling high-efficiency operations. These components are designed for use in various applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and energy storage systems (ESS), providing reliable and efficient power management in these demanding environments.

High current capability
Smooth and optimized switching
Low switching loss
RoHS compliant

onsemi FGY4L75T120SWD Common Emitter IGBT, 75 A 1200 V, 4-Pin TO-247-4L, Through Hole

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