Infineon MOSFET Gate Driver 8-Pin 600 V, SOIC
- RS 제품 번호:
- 226-6156
- 제조사 부품 번호:
- IR21531STRPBF
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 reel of 2500 units)*
₩3,713,000.00
일시적 품절
- 2026년 5월 29일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ₩1,485.20 | ₩3,711,590.00 |
| 12500 + | ₩1,455.12 | ₩3,637,330.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 226-6156
- 제조사 부품 번호:
- IR21531STRPBF
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Pin Count | 8 | |
| Package Type | SOIC | |
| Fall Time | 80ns | |
| Number of Outputs | 2 | |
| Driver Type | MOSFET | |
| Rise Time | 80ns | |
| Minimum Supply Voltage | 15.6V | |
| Maximum Supply Voltage | 600V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Height | 1.75mm | |
| Length | 4.98mm | |
| Width | 3.99 mm | |
| Series | IR21531(D)(S) & (PbF) | |
| Standards/Approvals | No | |
| Mount Type | Surface | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Pin Count 8 | ||
Package Type SOIC | ||
Fall Time 80ns | ||
Number of Outputs 2 | ||
Driver Type MOSFET | ||
Rise Time 80ns | ||
Minimum Supply Voltage 15.6V | ||
Maximum Supply Voltage 600V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Height 1.75mm | ||
Length 4.98mm | ||
Width 3.99 mm | ||
Series IR21531(D)(S) & (PbF) | ||
Standards/Approvals No | ||
Mount Type Surface | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IR21531S are an improved version of th popular IR2155 and IR2151 gate driver ICs and in corporates a high voltage half bridge gate driver with a front end oscillator similar to the CMOS 555 timer. A shutdown feature has been designed to the Ct pin, so that both gate driver outputs can be disabled using a low voltage control signal. Noise immunity has been improved significantly both by lowering the peak di/dt of the gate driver, and by increasing the undervoltage lockout hyster to 1V.
True micropower start up
Tighter initial deadtime control
Low temperature coefficient deadtime
Also available LEAD-FREE
관련된 링크들
- Infineon IR21531STRPBF MOSFET Gate Driver 8-Pin 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET Gate Driver, 360 mA 8-Pin 600 V, SOIC
- Infineon IR2102STRPBF MOSFET Gate Driver, 360 mA 8-Pin 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET Gate Driver, 600 mA 8-Pin 600 V, SOIC
- Infineon IRS2308STRPBF MOSFET Gate Driver, 600 mA 8-Pin 600 V, SOIC
- Infineon High Side Gate Driver, 420 mA 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET Gate Driver, 200 mA 8-Pin 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET Gate Driver, 290 mA 8-Pin 600 V, SOIC
