Infineon MOSFET Gate Driver, 600 mA 8-Pin 600 V, SOIC

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 2500 units)*

₩2,115,000.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 5월 25일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
2500 - 2500₩846.00₩2,115,000.00
5000 - 5000₩829.08₩2,072,700.00
7500 +₩812.16₩2,031,340.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
258-4013
제조사 부품 번호:
IRS2308STRPBF
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Output Current

600mA

Pin Count

8

Package Type

SOIC

Fall Time

35ns

Driver Type

MOSFET

Rise Time

220ns

Minimum Supply Voltage

10V

Maximum Supply Voltage

600V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Series

IRS

Automotive Standard

No

The Infineon half bridge driver is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 V.

Floating channel designed for bootstrap operation

Gate drive supply range from 10 V to 20 V

Under voltage lockout for both channels

Cross-conduction prevention logic

Matched propagation delay for both channels

Outputs in phase with inputs

관련된 링크들