onsemi MJD253T4G Transistor, -4 A PNP, -100 V, 3-Pin DPAK
- RS 제품 번호:
- 790-5337
- 제조사 부품 번호:
- MJD253T4G
- 제조업체:
- onsemi
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- RS 제품 번호:
- 790-5337
- 제조사 부품 번호:
- MJD253T4G
- 제조업체:
- onsemi
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -4A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 100V dc | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 7V | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 12.5W | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 40 | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 10MHz | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Length | 0.27mm | |
| Height | 0.63mm | |
| Series | MJD253 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 0.09 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -4A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V dc | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 7V | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Power Dissipation Pd 12.5W | ||
Minimum DC Current Gain hFE 40 | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 10MHz | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Length 0.27mm | ||
Height 0.63mm | ||
Series MJD253 | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 0.09 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
PNP Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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