제조사부품번호

onsemi MJD210G Transistor, -5 A PNP, -25 V, 4-Pin DPAK

RS 제품 번호:: 184-4310
제조사 부품 번호:: MJD210G
제조업체:: onsemi

onsemi MJD210G Transistor, -5 A PNP, -25 V, 4-Pin DPAK

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750 - 1425	₩550.00	₩41,280.00
1500 +	₩528.00	₩39,600.00

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RS 제품 번호:: 184-4310
제조사 부품 번호:: MJD210G
제조업체:: onsemi

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	-5A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	-25V
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	40V dc
	Maximum Power Dissipation Pd	12.5W
	Minimum DC Current Gain hFE	10
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Transition Frequency ft	10MHz
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	8V dc
	Transistor Polarity	PNP
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	4
	Series	MJD210
	Standards/Approvals	No
	Height	2.38mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc -5A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -25V
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 40V dc
	Maximum Power Dissipation Pd 12.5W
	Minimum DC Current Gain hFE 10
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Transition Frequency ft 10MHz
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 8V dc
	Transistor Polarity PNP
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 4
	Series MJD210
	Standards/Approvals No
	Height 2.38mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: VN

The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications. The MJD200 (NPN) and MJD210 (PNP) are complementary devices.

Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

High DC Current Gain - hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc= 45 (Min) @ IC = 2 Adc= 10 (Min) @ IC = 5 Adc

Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.30 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc

High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc

Annular Construction for Low Leakage - ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB

These Devices are Pb-Free

MJD200 is the complementary NPN device

onsemi MJD210G Transistor, -5 A PNP, -25 V, 4-Pin DPAK

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