Infineon RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 4.5 V, 4-Pin SOT-343
- RS 제품 번호:
- 273-7298
- 제조사 부품 번호:
- BFP410H6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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| 50 - 75 | ₩546.00 | ₩13,660.00 |
| 100 - 225 | ₩510.00 | ₩12,760.00 |
| 250 - 975 | ₩470.00 | ₩11,760.00 |
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- RS 제품 번호:
- 273-7298
- 제조사 부품 번호:
- BFP410H6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 40mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 4.5V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150mW | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 60 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 25GHz | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Series | BFP | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 40mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4.5V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150mW | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 60 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 25GHz | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Series BFP | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon NPN RF bipolar transistor is a low noise device based on a grounded emitter that is part of Infineon established fourth generation RF bipolar transistor family. Its transition frequency fT of 25 GHz and low current characteristics make the device suitable for high frequency oscillators. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
High gain
Minimum noise figure
Suitable for broadband low noise amplifiers
LNAs for sub 1 GHz ISM band applications
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