제조사부품번호

Infineon BFP182WH6327XTSA1 Bipolar Transistor, 35 mA, 12 V, 4-Pin SOT-343

RS 제품 번호:: 273-2847
제조사 부품 번호:: BFP182WH6327XTSA1
제조업체:: Infineon

Infineon BFP182WH6327XTSA1 Bipolar Transistor, 35 mA, 12 V, 4-Pin SOT-343

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RS 제품 번호:: 273-2847
제조사 부품 번호:: BFP182WH6327XTSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	35mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	12V
	Package Type	SOT-343
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	2V
	Minimum DC Current Gain hFE	70
	Maximum Power Dissipation Pd	250mW
	Maximum Transition Frequency ft	8GHz
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	4

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 35mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 12V
	Package Type SOT-343
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V
	Minimum DC Current Gain hFE 70
	Maximum Power Dissipation Pd 250mW
	Maximum Transition Frequency ft 8GHz
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 4

Datasheet - BFP182WH6327XTSA1

The Infineon NPN silicon RF transistor for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 m.

Pb free package

It has application in wireless communications

Infineon BFP182WH6327XTSA1 Bipolar Transistor, 35 mA, 12 V, 4-Pin SOT-343

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