Infineon BFR460L3E6327XTMA1 RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 15 V, 3-Pin TSLP-3-1
- RS 제품 번호:
- 261-3958
- Distrelec 제품 번호:
- 304-41-647
- 제조사 부품 번호:
- BFR460L3E6327XTMA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (1 pack of 50 units)*
₩30,900.00
재고있음
- 15,000 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | ₩618.00 | ₩30,900.00 |
| 100 - 100 | ₩600.00 | ₩29,960.00 |
| 150 + | ₩582.00 | ₩29,060.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 261-3958
- Distrelec 제품 번호:
- 304-41-647
- 제조사 부품 번호:
- BFR460L3E6327XTMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 50mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 15V | |
| Package Type | TSLP-3-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 15V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200mW | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 22GHz | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 90 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 1mm | |
| Height | 400μm | |
| Series | BFR | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 600μm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 50mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 15V | ||
Package Type TSLP-3-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 15V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200mW | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 22GHz | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 90 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 1mm | ||
Height 400μm | ||
Series BFR | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 600μm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low profile silicon NPN RF bipolar transistor with low noise device based on a grounded emitter. Its transition frequency of 22 GHz, low current and low voltage characteristics make the device suitable for amplifiers. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
High ESD performance
High gain with minimum noise figure
관련된 링크들
- Infineon BFR460L3E6327XTMA1 RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 15 V, 3-Pin TSLP-3-1
- Infineon BFR380L3E6327XTMA1 Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 15 V, 3-Pin TSLP-3-1
- Infineon BFR360L3E6765XTMA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA, 15 V, 3-Pin TSLP-3-1
- Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 4 V, 4-Pin TSLP
- Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9
- Infineon BFR181WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon BFR193FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 12 V, 3-Pin TSFP
- Infineon BFR182WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323