Infineon BFR460L3E6327XTMA1 RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 15 V, 3-Pin TSLP-3-1
- RS 제품 번호:
- 261-3958
- Distrelec 제품 번호:
- 304-41-647
- 제조사 부품 번호:
- BFR460L3E6327XTMA1
- 제조업체:
- Infineon
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수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | ₩618.00 | ₩30,900.00 |
| 100 - 100 | ₩600.00 | ₩29,960.00 |
| 150 + | ₩582.00 | ₩29,060.00 |
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- RS 제품 번호:
- 261-3958
- Distrelec 제품 번호:
- 304-41-647
- 제조사 부품 번호:
- BFR460L3E6327XTMA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 50mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 15V | |
| Package Type | TSLP-3-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 15V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200mW | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 90 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Transition Frequency ft | 22GHz | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Height | 0.4mm | |
| Length | 1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 0.6mm | |
| Series | BFR | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 50mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 15V | ||
Package Type TSLP-3-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 15V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200mW | ||
Minimum DC Current Gain hFE 90 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Transition Frequency ft 22GHz | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Height 0.4mm | ||
Length 1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 0.6mm | ||
Series BFR | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low profile silicon NPN RF bipolar transistor with low noise device based on a grounded emitter. Its transition frequency of 22 GHz, low current and low voltage characteristics make the device suitable for amplifiers. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
High ESD performance
High gain with minimum noise figure
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