제조사부품번호

Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9

RS 제품 번호:: 258-0650
제조사 부품 번호:: BFR840L3RHESDE6327XTSA1
제조업체:: Infineon

Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9

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RS 제품 번호:: 258-0650
제조사 부품 번호:: BFR840L3RHESDE6327XTSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	35mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	2.25V
	Package Type	TSLP-3-9
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	2.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	75mW
	Maximum Transition Frequency ft	75GHz
	Transistor Polarity	NPN
	Minimum DC Current Gain hFE	150
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	0.31mm
	Series	BFR840L3RHESD
	Length	1mm
	Width	0.6 mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 35mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V
	Package Type TSLP-3-9
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 75mW
	Maximum Transition Frequency ft 75GHz
	Transistor Polarity NPN
	Minimum DC Current Gain hFE 150
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Height 0.31mm
	Series BFR840L3RHESD
	Length 1mm
	Width 0.6 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BFR840L3RHESDE6327XTSA1

The Infineon SiGe C NPN RF bipolar transistor is a discrete RF heterojunction bipolar transistor with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.

Ideal for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V

Low profile and small form factor leadless package

Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9

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