Infineon BFQ19SH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 120 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-89
- RS 제품 번호:
- 260-5067
- 제조사 부품 번호:
- BFQ19SH6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 260-5067
- 제조사 부품 번호:
- BFQ19SH6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 120mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-89 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Transition Frequency ft | 5.5GHz | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 3V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | BFQ | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 4mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 120mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-89 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Transition Frequency ft 5.5GHz | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 3V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Series BFQ | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 4mm | ||
Height 1.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon silicon bipolar RF transistor are suitable for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems.
Pb free package
For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems
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