제조사부품번호

Infineon RF Bipolar Transistor, 250 mA NPN, 5 V, 4-Pin SOT-89

RS 제품 번호:: 216-8357
제조사 부품 번호:: BFQ790H6327XTSA1
제조업체:: Infineon

Infineon RF Bipolar Transistor, 250 mA NPN, 5 V, 4-Pin SOT-89

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RS 제품 번호:: 216-8357
제조사 부품 번호:: BFQ790H6327XTSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	250mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	5V
	Package Type	SOT-89
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	6.1V
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Power Dissipation Pd	1.5W
	Minimum DC Current Gain hFE	60
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Transition Frequency ft	1.85GHz
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	4
	Series	BFQ790
	Length	4.5mm
	Width	2.5 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 250mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 5V
	Package Type SOT-89
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 6.1V
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Power Dissipation Pd 1.5W
	Minimum DC Current Gain hFE 60
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Transition Frequency ft 1.85GHz
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 4
	Series BFQ790
	Length 4.5mm
	Width 2.5 mm
	Standards/Approvals No
	Height 2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BFQ790H6327XTSA1

The Infineon BFQ series is a single stage high linearity and high gain driver amplifier based on NPN silicon germanium technology. It is used in commercial and industrial wireless infrastructure, ISM band medium power amplifiers and drivers, automated test equipment, UHF television, CATV and DBS.

High gain

High maximum RF input power

High compression point

Infineon RF Bipolar Transistor, 250 mA NPN, 5 V, 4-Pin SOT-89

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