Infineon BFS481H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363
- RS 제품 번호:
- 273-7308
- 제조사 부품 번호:
- BFS481H6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 273-7308
- 제조사 부품 번호:
- BFS481H6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Two (Galvanic) Internal Isolated Transistors In One Package | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 175mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | BFS481 | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Two (Galvanic) Internal Isolated Transistors In One Package | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 175mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series BFS481 | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.
Halogen free
Easy to use
Pb free package
RoHS compliant
With visible leads
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