Infineon RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- RS 제품 번호:
- 259-1453
- 제조사 부품 번호:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 259-1453
- 제조사 부품 번호:
- BFP840ESDH6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 35mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 2.25V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 2.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 150 | |
| Maximum Transition Frequency ft | 80GHz | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.1 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | BFP | |
| Length | 2mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 35mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 150 | ||
Maximum Transition Frequency ft 80GHz | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.1 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series BFP | ||
Length 2mm | ||
Height 0.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon discrete hetero-junction bipolar transistor (HBT) specifically designed for high performance 5 GHz band. It is satellite communication systems are satellite radio (SDARs, DAB), navigation systems (e.g. GPS, Glonass, Beidou, Galileo).
High gain Gms 22.5 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
OIP3 22 dBm at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
IC max +35mA
관련된 링크들
- Infineon BFP840ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 2.25 V SOT-343
- Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 13 V SOT-343
- Infineon BFP540ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 10 V SOT-343
- Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 4.1 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP842ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 40 mA, 3.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP740ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 45 mA NPN, 4.2 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP842ESDH6327XTSA1 Bipolar Transistor
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