Infineon BFP843H6327XTSA1 Broadband RF Bipolar Transistor, 55 mA NPN, 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- RS 제품 번호:
- 216-8356
- 제조사 부품 번호:
- BFP843H6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 216-8356
- 제조사 부품 번호:
- BFP843H6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | Broadband RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 55mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 2.25V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 2.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125mW | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 150 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | BFP843 | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type Broadband RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 55mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125mW | ||
Minimum DC Current Gain hFE 150 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series BFP843 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon BFP series is a robust low noise broadband pre-matched RF heterojunction bipolar transistor. It is suitable for low voltage applications like wireless communications, satellite communication systems and navigation systems.
High transition frequency enables best in class noise performance at high frequencies
Unique combination of high end RF performance and robustness
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