onsemi FQB5N90TM Digital Transistor N-Channel Surface, 2-Pin
- RS 제품 번호:
- 186-7897P
- 제조사 부품 번호:
- FQB5N90TM
- 제조업체:
- onsemi
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- RS 제품 번호:
- 186-7897P
- 제조사 부품 번호:
- FQB5N90TM
- 제조업체:
- onsemi
사양
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 158W | |
| Pin Count | 2 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 4.58mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Polarity N-Channel | ||
Maximum Power Dissipation Pd 158W | ||
Pin Count 2 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 4.58mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 2.7A
Low gate charge ( Typ. 31nC)
Low Crss ( Typ. 13pF)
Applications
Lighting