onsemi Transistor, 10 A NPN, 40 V, 3-Pin TO-225
- RS 제품 번호:
- 184-4314
- 제조사 부품 번호:
- MJE200G
- 제조업체:
- onsemi
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- RS 제품 번호:
- 184-4314
- 제조사 부품 번호:
- MJE200G
- 제조업체:
- onsemi
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 40V | |
| Package Type | TO-225 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 25V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 15W | |
| Maximum Transition Frequency ft | 10MHz | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 10 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | MJE200 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 27.1mm | |
| Width | 3.25 mm | |
| Length | 8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 40V | ||
Package Type TO-225 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 25V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 15W | ||
Maximum Transition Frequency ft 10MHz | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 10 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Series MJE200 | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 27.1mm | ||
Width 3.25 mm | ||
Length 8mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power and high gain audio amplifier applications. The MJE200 (NPN) and MJE210 (PNP) are complementary devices.
High DC Current Gain
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Current-Gain - Bandwidth Product
Annular Construction for Low Leakage
These Devices are Pb-Free
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