onsemi MJE200G Transistor, 10 A NPN, 40 V, 3-Pin TO-225
- RS 제품 번호:
- 184-4894
- 제조사 부품 번호:
- MJE200G
- 제조업체:
- onsemi
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 25 units)*
₩28,764.00
재고있음
- 100 개 단위 배송 준비 완료
- 추가로 2026년 3월 06일 부터 725 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | ₩1,150.56 | ₩28,764.00 |
| 125 - 225 | ₩1,120.48 | ₩28,012.00 |
| 250 + | ₩1,103.56 | ₩27,598.40 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 184-4894
- 제조사 부품 번호:
- MJE200G
- 제조업체:
- onsemi
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 40V | |
| Package Type | TO-225 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 25V dc | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 8V dc | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 10 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 15W | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Transition Frequency ft | 10MHz | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Height | 27.1mm | |
| Width | 3.25 mm | |
| Series | MJE200 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 40V | ||
Package Type TO-225 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 25V dc | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 8V dc | ||
Minimum DC Current Gain hFE 10 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 15W | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Transition Frequency ft 10MHz | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Height 27.1mm | ||
Width 3.25 mm | ||
Series MJE200 | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 8mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power and high gain audio amplifier applications. The MJE200 (NPN) and MJE210 (PNP) are complementary devices.
High DC Current Gain
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Current-Gain - Bandwidth Product
Annular Construction for Low Leakage
These Devices are Pb-Free
관련된 링크들
- onsemi Transistor, 10 A NPN, 40 V, 3-Pin TO-225
- onsemi MJE340G Transistor, 500 mA NPN, 300 V, 3-Pin TO-225
- onsemi MJE243G Transistor, 4 A NPN, 100 V, 3-Pin TO-225
- onsemi Transistor, 500 mA NPN, 300 V, 3-Pin TO-225
- onsemi Transistor, 4 A NPN, 100 V, 3-Pin TO-225
- onsemi MJE253G Transistor, -4 A PNP, -100 V, 3-Pin TO-225
- onsemi MJE172G Transistor, -3 A PNP, -80 V, 3-Pin TO-225
- onsemi MJE350G Bipolar Transistor, -500 mA PNP, -300 V, 3-Pin TO-225