onsemi MJE200G Transistor, 10 A NPN, 40 V, 3-Pin TO-225
- RS 재고 번호:
- 184-4894
- 제조 부품 번호:
- MJE200G
- 제조업체:
- onsemi
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- RS 재고 번호:
- 184-4894
- 제조 부품 번호:
- MJE200G
- 제조업체:
- onsemi
사양
기술적 참조
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 40V | |
| Package Type | TO-225 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 25V | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 8V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 10MHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 15W | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 10 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Length | 8mm | |
| Height | 27.1mm | |
| Width | 3.25 mm | |
| Series | MJE200 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 40V | ||
Package Type TO-225 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 25V | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 8V | ||
Maximum Transition Frequency ft 10MHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 15W | ||
Minimum DC Current Gain hFE 10 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Length 8mm | ||
Height 27.1mm | ||
Width 3.25 mm | ||
Series MJE200 | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power and high gain audio amplifier applications. The MJE200 (NPN) and MJE210 (PNP) are complementary devices.
High DC Current Gain
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Current-Gain - Bandwidth Product
Annular Construction for Low Leakage
These Devices are Pb-Free
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