onsemi MJF45H11G Transistor, -10 A PNP, -80 V, 3-Pin TO-220
- RS 제품 번호:
- 184-1139
- 제조사 부품 번호:
- MJF45H11G
- 제조업체:
- onsemi
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- RS 제품 번호:
- 184-1139
- 제조사 부품 번호:
- MJF45H11G
- 제조업체:
- onsemi
사양
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -80V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Transition Frequency ft | 20MHz | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 40 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 36W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Length | 0.42mm | |
| Height | 1.18mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -80V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Transition Frequency ft 20MHz | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Minimum DC Current Gain hFE 40 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 36W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Length 0.42mm | ||
Height 1.18mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage--VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
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