onsemi Transistor, -10 A PNP, -80 V, 3-Pin TO-220
- RS 제품 번호:
- 184-0971
- 제조사 부품 번호:
- MJF45H11G
- 제조업체:
- onsemi
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 tube of 50 units)*
₩66,364.00
재고있음
- 100 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | ₩1,327.28 | ₩66,345.20 |
| 100 - 150 | ₩1,297.20 | ₩64,897.60 |
| 200 + | ₩1,269.00 | ₩63,468.80 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 184-0971
- 제조사 부품 번호:
- MJF45H11G
- 제조업체:
- onsemi
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -80V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Transition Frequency ft | 20MHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 36W | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 40 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 0.42mm | |
| Width | 0.19 mm | |
| Height | 1.18mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -80V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Transition Frequency ft 20MHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 36W | ||
Minimum DC Current Gain hFE 40 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 0.42mm | ||
Width 0.19 mm | ||
Height 1.18mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage--VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
관련된 링크들
- onsemi MJF45H11G Transistor, -10 A PNP, -80 V, 3-Pin TO-220
- onsemi Transistor, -10 A PNP, -80 V, 3-Pin TO-220
- onsemi Transistor, 10 A NPN, 80 V, 3-Pin TO-220
- onsemi D45H11G Transistor, -10 A PNP, -80 V, 3-Pin TO-220
- onsemi MJF44H11G Transistor, 10 A NPN, 80 V, 3-Pin TO-220
- onsemi Digital Transistor, -80 V PNP Surface, 2-Pin
- onsemi Transistor, -3 A PNP, -100 V, 3-Pin TO-220
- onsemi Transistor, -16 A PNP, -150 V, 3-Pin TO-220
