STMicroelectronics 650 V 12 A Diode 3-Pin D2PAK
- RS 제품 번호:
- 229-2097
- 제조사 부품 번호:
- STPSC12065G2-TR
- 제조업체:
- STMicroelectronics
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
Subtotal (1 reel of 1000 units)*
₩4,006,280.00
일시적 품절
- 2027년 1월 21일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 1000 + | ₩4,006.28 | ₩4,006,092.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 229-2097
- 제조사 부품 번호:
- STPSC12065G2-TR
- 제조업체:
- STMicroelectronics
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | STMicroelectronics | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Product Type | Diode | |
| Package Type | TO-263 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 12A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Diode Configuration | Single | |
| Series | STPSC12065 | |
| Pin Count | 3 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 220A | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Peak Reverse Current Ir | 50μA | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.65V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Diameter | 3.75 mm | |
| Length | 28.25mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 10 mm | |
| Height | 4.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 STMicroelectronics | ||
Mount Type Through Hole | ||
Product Type Diode | ||
Package Type TO-263 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 12A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Diode Configuration Single | ||
Series STPSC12065 | ||
Pin Count 3 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 220A | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Peak Reverse Current Ir 50μA | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.65V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Diameter 3.75 mm | ||
Length 28.25mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 10 mm | ||
Height 4.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics STPSC12065 is the SiC diode is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a schottky diode structure with a 650 V rating.
No or negligible reverse recovery
Switching behaviour independent of temperature
Dedicated to PFC applications
High forward surge capability
관련된 링크들
- STMicroelectronics 650 V 12 A Diode 3-Pin D2PAK STPSC12065G2-TR
- STMicroelectronics 650 V 10 A Diode 3-Pin D2PAK
- STMicroelectronics 650 V 4 A Diode 2-Pin D2PAK
- STMicroelectronics 650 V 10 A Diode 3-Pin D2PAK STPSC10065G2-TR
- STMicroelectronics 650 V 10 A Diode Switching 3-Pin D2PAK
- STMicroelectronics 650 V 4 A Diode 2-Pin D2PAK STPSC4H065B-TR
- STMicroelectronics 650 V 10 A Diode 3-Pin D2PAK STPSC10H065G2-TR
- STMicroelectronics 650 V 10 A Diode Switching 3-Pin D2PAK STPSC10H065GY-TR
