BGA7H1N6E6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier Low Noise Amplifier, 12.5 dB 2690 MHz, 6-Pin TSNP-6-2

모든 RF Amplifiers ICs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩16,168.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 90 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
10 - 990₩1,616.80₩16,168.00
1000 - 1990₩1,567.92₩15,679.20
2000 - 4990₩1,520.92₩15,209.20
5000 - 9990₩1,475.80₩14,758.00
10000 +₩1,430.68₩14,306.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
273-5224
제조사 부품 번호:
BGA7H1N6E6327XTSA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Amplifier Type

Low Noise Amplifier

Typical Power Gain

12.5 dB

Typical Noise Figure

0.6dB

Number of Channels per Chip

1

Maximum Operating Frequency

2690 MHz

Package Type

TSNP-6-2

Pin Count

6

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon RF Amplifier is a front end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 2300 MHz to 2690 MHz. The LNA provides 12.5 dB gain and 0.60 dB noise figure at a current consumption of 4.7 mA. This RF amplifier is base on Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.3 V supply voltage.

Pb free package
RoHS compliant
Low noise figure
Digitally on off switch
Low current consumption
Only 1 external SMD component necessary

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


관련된 링크들