BGA725L6E6327FTSA1 Infineon RF Amplifier Low Noise 20 dB, 6-Pin 1615 MHz TSLP
- RS 제품 번호:
- 258-0663
- 제조사 부품 번호:
- BGA725L6E6327FTSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 10 units)*
₩4,737.60
일시적 품절
- 2026년 9월 10일 부터 30,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | ₩473.76 | ₩4,737.60 |
| 20 - 90 | ₩449.32 | ₩4,493.20 |
| 100 - 240 | ₩423.00 | ₩4,230.00 |
| 250 - 490 | ₩392.92 | ₩3,929.20 |
| 500 + | ₩360.96 | ₩3,609.60 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 258-0663
- 제조사 부품 번호:
- BGA725L6E6327FTSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Operating Frequency | 1615 MHz | |
| Amplifier Type | Low Noise | |
| Product Type | RF Amplifier | |
| Technology | Silicon Germanium | |
| Gain | 20dB | |
| Package Type | TSLP | |
| Minimum Supply Voltage | 1.5V | |
| Maximum Supply Voltage | 3.6V | |
| Pin Count | 6 | |
| Noise Figure | 0.65dB | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| P1dB - Compression Point | 72mW | |
| Third Order Intercept OIP3 | -5dBm | |
| Maximum Operating Temperature | 85°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Series | BGA | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Operating Frequency 1615 MHz | ||
Amplifier Type Low Noise | ||
Product Type RF Amplifier | ||
Technology Silicon Germanium | ||
Gain 20dB | ||
Package Type TSLP | ||
Minimum Supply Voltage 1.5V | ||
Maximum Supply Voltage 3.6V | ||
Pin Count 6 | ||
Noise Figure 0.65dB | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
P1dB - Compression Point 72mW | ||
Third Order Intercept OIP3 -5dBm | ||
Maximum Operating Temperature 85°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Series BGA | ||
The Infineon silicon germanium low noise amplifier is a front-end low noise amplifier for global navigation satellite systems from 1550 MHz to 1615 MHz like GPS, GLONASS, Beidou, Galileo and others. The LNA provides 20.0 dB gain and 0.65 dB noise figure at a current consumption of 3.6 mA in the application configuration described in chapter 3. The silicon germanium low noise amplifier is based upon Infineon technologies B7HF Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.6 V supply voltage.
RF output internally matched to 50 Ω
Only 1 external SMD component necessary
2kV HBM ESD protection
Pb-free (RoHS compliant) package
관련된 링크들
- Infineon RF Amplifier Low Noise 20 dB, 6-Pin 1615 MHz TSLP
- BGA123L4E6327XTSA1 Infineon RF Amplifier Low Noise 18.2 dB, 4-Pin 1615 MHz TSLP
- Infineon RF Amplifier Low Noise 18.2 dB, 4-Pin 1615 MHz TSLP
- BGA123N6E6327XTSA1 Infineon RF Amplifier Low Noise 21.2 dB, 6-Pin 1615 MHz TSNP
- BGA524N6E6327XTSA1 Infineon RF Amplifier Low Noise 19.6 dB, 6-Pin 1615 MHz TSNP
- Infineon RF Amplifier Low Noise 21.2 dB, 6-Pin 1615 MHz TSNP
- Infineon RF Amplifier Low Noise 19.6 dB, 6-Pin 1615 MHz TSNP
- BGB707L7ESDE6327XTSA1 Infineon RF Amplifier Low Noise 31.5 dB 5.6 GHz TSLP-7-1
